主要功能

本設備為一體式熱壁CVD系統，專為高精度薄膜生長與高溫熱處理工藝研發，搭載多區獨立溫控系統與智能化氣路調控模塊，整體自動化程度高、工藝穩定性優異。設備兼容高精度材料研發與中小批量樣品制備，可滿足二維半導體材料制備、各類半導體薄膜生長、晶圓高溫退火、金屬薄膜氣氛熱處理、功能材料改性等多元化工藝場景，廣泛適配低維材料、微電子半導體、光電新材料等領域科研研發與項目落地需求，兼顧高校科研實驗、工藝調試以及商業化中小批量試樣生產。

技術指標

1、襯底承載規格：設備腔室內徑尺寸達11英寸，內部作業空間充足，最大可支持8英寸整片晶圓襯底進行加工處理，同時兼容小尺寸襯底、片狀樣品、粉體材料等不同形態試樣，適配絕大多數主流半導體與新材料實驗規格。

2、工藝溫度系統：配備多區獨立閉環加熱模組，支持分區精準控溫，有效優化腔室內溫場分布，從根本上提升樣品加熱均勻性；設備常規最高恒溫工藝溫度可達1100℃，瞬時峰值工藝溫度支持1150℃，8英寸整片晶圓范圍內溫度偏差控制＜2%，杜絕局部溫差過大導致的材料生長不均、退火失效等問題，適配各類高溫制備及熱處理工藝。

3、精密供氣系統：標配7路獨立可控高精度氣路通道，涵蓋氬氣、氫氣、氮氣、甲烷、乙炔、氧氣六路常用高純工藝氣體，并預留1路備用氣路，可自由拓展適配特殊實驗氣體。系統搭載動態流量控制單元，能夠實時精準調節各路氣體配比與進氣速率，穩定腔內氣體氛圍，保障材料生長速率、元素摻雜的一致性，適配常壓、低壓等多氣氛生長工況。

4、真空控制系統：搭載高密封性真空腔室與多級真空機組，分級可控調節腔內氣壓參數。設備本底氣壓低至0.1Pa，穩定工作氣壓調節區間為1Pa~5×10??Pa，可輕松實現高真空、低真空、常壓等多種作業環境，有效隔絕空氣雜質、水汽干擾，保障高溫工藝下材料成膜質量與制備穩定性。

5、智能控制系統：整機采用一體化全自動控制系統，集成工藝程序編輯、參數一鍵設定、自動升溫、自動換氣、真空自動抽取、異常報警及緊急停機功能。科研人員可自主編輯儲存多組工藝配方，一鍵調用即可完成整套實驗流程，降低人工操作誤差，簡化實驗流程，大幅提升研發與生產效率。